大家都知道MOS管属于电压控制型元器件。即在MOS管的栅极加上电压时，当栅-源电压压差大于Vgs(th)时，MOS管即可导通（不能大太多，否则会烧毁）。当源极电压确定后，我们可以通过控制栅极电压实现MOS管的导通与截止，这样也就实现了MOS管漏极或者栅极负载的开与关。
1、NMOS管
源极接地，栅源极电压等于栅极电压，此时我们在栅极电压处加上PWM，即可实现MOS管的导通与截止，导通时，发光二极管正常工作。截止时，发光二极管停止工作。
发光二极管不接在栅极处，原因，此时不方便判断栅源电压。通常在NMOS管做开关，负载接在漏极。
2、PMOS管
源极接电压，栅极接PWM。栅源电压大于Vgs(th)时，MOS管导通。发光二极管工作。当栅源电压小于Vgs(th)时，MOS管截止，发光二极管停止工作。
发光二极管不接在源极，因为无法判断源极电压。没有直接接在漏极方便。
总之做开关时，负载接在漏极。
在一些场景下，电路还会进行软启动的设计。
即如下所示：
电阻R与C构成了软启动的作用。
软启动使得MOS管栅极上电较更为平缓，同时时间增加。
如下为其他项目用到延时与否的对比。
软启动
非软启动
可以看到软启动效果更加优于不加软启动措施，所以软起动的设计，在MOS管做开关时也是尤为重要。
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